データセット名：電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]による二次元ヘテロ構造デバイスの研究（2023年度）
課題名：二次元ヘテロ構造デバイスの研究
データセット登録者（所属機関）：IWASAKI, Takuya（NIMS）
- 課題番号：
- JPMXP1223NM5186
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
要約
グラフェンをはじめとする二次元層状物質を積層したファンデルワールスヘテロ構造では、材料の組み合わせ・積層角度等、従来の材料では成しえなかった自由度が制御可能となり、新奇物理現象およびデバイス機能発現が期待されている。本研究では、二次元ヘテロ構造を用いた量子・電子・光デバイスにおける新奇物性の探索・制御およびデバイス機能の開拓を目的とする。デバイスの微細加工実施および二次元物質準備用アドレスマーク基板を作製するために、共用設備を用いる。
別の設備で作製したグラフェン、六方晶窒化ホウ素(hBN)、遷移金属ダイカルコゲナイド(TMD)を基礎とする積層ヘテロ構造に対し、電子ビーム描画装置(NM-601)を利用し微細構造パターンを描画した。コンタクト電極およびゲート電極を作製するために、電子銃型蒸着装置(NM-609,NM-610)により、金属を蒸着した。または、エッチングをするためにCCP-RIE装置(NM-614)を使用した。ゲート絶縁膜(Al2O3)を製膜するために、原子層堆積装置(NM-611)を利用した。
ここでは電子銃型蒸着装置 [ADS-E86]を用いた実験結果を掲載する。
キーワード・タグ
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データメトリックス
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データインデックス
- 登録日：
- 2026.06.04
- エンバーゴ解除日：
- 2026.03.31
- データセットID：
- 0d82e781-ae98-49ba-be62-1413abc33aab
- データタイル数：
- 38
- ファイル数：
- 99
- ファイルサイズ：
- 1.37MB
- ライセンス：
- ARIMライセンス
装置・プロセス
成果発表・成果利用
- 論文等1：
-
Takuya Iwasaki, Dual gating and manipulation of the quantum valley currents in hBN/bilayer-graphene superlattices, Extended Abstracts of the 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, , (2023).
DOI: https://doi.org/https://doi.org/10.7567/SSDM.2023.A-8-02
- 論文等2：
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Yoshifumi Morita, Dual gating of hBN/bilayer-graphene superlattices: band-engineering and doping a Dirac material, Extended Abstracts of the 2023 International Conference on Solid State Devices and Materials, , (2023).
DOI: https://doi.org/https://doi.org/10.7567/SSDM.2023.A-8-01