データセット名：GaN/InGaN 多重量子井戸構造のSTEM観察
課題名：ナノ構造評価技術開発
データセット登録者（所属機関）：NAGATA, Daisuke（NIMS）
- 課題番号：
- JPMXP1225NM2102
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
要約
青色LEDなどの基板には、GaN/InGaN 多重量子井戸構造（MQW）が使用されています。本データは、GaN/InGaN MQWの断面を、STEMで観察した例です。
試料には、サファイア基板上にGaN/InGaN MQWが製膜された、LEDチップを使用しました。
断面薄膜試料作製には、GaイオンビームのFIB-SEM（Hitachi NB5000）を用いて、最終仕上げは加速電圧5kVで行いました。また、STEM観察には、球面収差補正透過型電子顕微鏡（JEOL JEM-ARM200F Cold-FEG）を用いました。
先行研究から、Arイオンビームを用いた仕上げ加工を追加で行うことにより、像質の向上が期待できます。（T Sato et al 2017 J. Phys.: Conf. Ser. 902 012019）
薄膜試料作製：物質・材料研究機構（NIMS）永田大介
TEM観察：物質・材料研究機構（NIMS）永田大介
キーワード・タグ
- 重要技術領域（主）：
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データメトリックス
- ページビュー：
- 170
- ダウンロード数：
- 11
データインデックス
- 登録日：
- 2026.03.12
- エンバーゴ解除日：
- 2026.03.04
- データセットID：
- 2bd3d8ef-81bc-4391-b701-cd0573ffc639
- データタイル数：
- 6
- ファイル数：
- 48
- ファイルサイズ：
- 708.39MB
- ライセンス：
-
