データセット名：低抵抗のPoly-Si膜の形成_CVD
課題名：Poly-Si膜の成膜
データセット登録者（所属機関）：TOTSU, Kentaro（東北大学）
- 課題番号：
- JPMXP1225TU5018
- 実施機関：
- 東北大学
要約
6インチシリコンウェハ4枚へ、CVD装置（ARIM No. TU-152）で多結晶シリコン膜（Poly-Si膜）を堆積した。原料ガスはモノシラン（SiH4）、キャリアガスは水素（H2）、n型とするためドーパントガスはPH3 (5%)/H2（ホスフィン/水素）を用いた。成膜時温度は800.0 ℃（一部1020.0℃）、圧力は101325.0Pa（常圧）で行った。
成膜後にDektak段差計（TU-305）で膜厚測定を行い、膜厚は200nm、膜厚均一性は8%であった。
4探針測定装置（TU-320）を用いてシート抵抗測定を行い、抵抗率は0.0025Ω・cmであった。
膜応力は-282MPaと圧縮応力であった。
キーワード・タグ
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データメトリックス
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データインデックス
- 登録日：
- 2025.11.26
- エンバーゴ解除日：
- 2025.10.31
- データセットID：
- fa80e60e-623c-4170-8e7a-a7aa4e5c0355
- データタイル数：
- 1
- ファイル数：
- 5
- ファイルサイズ：
- 5.06MB
- ライセンス：
- ARIMライセンス