データセット名：ICP-RIE装置 [RIE-101iPH]によるシリコンフォトニクスデバイスの開発（2023年度）
課題名：シリコンフォトニクスデバイスの開発
データセット登録者（所属機関）：ATSUMI, Yuki （産業技術総合研究所）
- 課題番号：
- JPMXP1223NM0001
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
要約
CMOS材料であるシリコンを光導波路として用いるシリコンフォトニクスは、高密度な光電子集積システムを可能する技術として、既にデータセンターを中心に市場導入が進んでいる。その中で、シリコン導波路は数百ナノメートル四方程度以下の微細な断面構造を有しており、数ナノメートルオーダでの側壁荒れが光の伝搬に大きな影響をあたえるため、リソグラフィからエッチングまで一貫したプロセス条件出しが必要となる。今回、加速電圧200keVの電子線描画装置を用い、シリコン導波路の試作を行った。
ダイシングソー(NM-629)を用いてSOIウエハ(厚さTop Si/BOX/Si sub. =220nm/3000nm/725um)を2cm角チップに切り出し、硫酸加水、希フッ酸、シュウ酸等を用いて基板表面洗浄を行った。さらに、電子線ポジレジストであるZEP-520Aをスピンコート(500rpm/5sec, 5000rpm/120sec)し、180℃のホットプレートでプリベークした。その後、加速電圧200keVの電子線描画装置(NM-661)を用いて、電流1nA、ドーズ量300u~450C/cm2、フィールドサイズ500umの条件でシリコン導波路の構造ダミーパターンを露光した。そして、描画したサンプルに対し、ZED-N50を用いて現像(23℃/60sec)し、自機関のICP-RIE装置を用いてシリコン転写を行うことで試料を完成させた。
ここではICP-RIE装置 [RIE-101iPH]を用いた実験結果を掲載する。
キーワード・タグ
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データメトリックス
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データインデックス
- 登録日：
- 2026.06.04
- エンバーゴ解除日：
- 2026.03.31
- データセットID：
- feee9509-ec3b-42fc-a4aa-c46bfc41b91b
- データタイル数：
- 3
- ファイル数：
- 8
- ファイルサイズ：
- 108.78KB
- ライセンス：
- ARIMライセンス