課題番号：

JPMXP1224OS1027

実施機関：

大阪大学

要約

本課題では、花粉アレルゲン検出に適したサイズの固体ナノポアを加工し、イオン電流計測によるアレルゲン物質の検出を試みた。まず、当該Siウエハを25 mm角の大きさにダイシングカットし、片面にメタルマスクを置いて、CHF3ガスを用いたRIEにより窒化シリコン層を部分的に除去した。続いてKOH溶液に浸漬し約80 ℃に昇温することで、Si層の異方性エッチングを行った。これにより、基板の片面に厚さ約50 nmの窒化シリコンメンブレンを形成した。その後、ZEP520-Aをスピンコートし、プレベーク後、電子線描画装置を用いて直径300 nmの円を描画した。続いて現像後の残存レジスト層をマスクにし、反応性イオンエッチング（CHF3）により露出された窒化シリコン層を掘削することで、ナノポアを開口させた。
OS-110リアクティブイオンエッチング装置を用いて様々なデバイスにエッチングを行った時のログノートより、レシピ情報を収録する。