データセット名：Arイオンビームミリング法によるピラー加工形状の基板傾斜角による違いと時間変化
課題名：SiO2のドライエッチング
データセット登録者（所属機関）：IKEDA, Naoki （NIMS）
- 課題番号：
- JPMXP1225NM2010
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
要約
本データセットは、Arイオンビームエッチングにおいて基板の傾斜角を変化させた場合の加工形状の違いを示したものである。エッチング対象はSi基板上の熱酸化膜(厚さ1um)、エッチングマスクは電子線レジスト(FEP-171)、マスクパターンは直径500、2000nmのピラー形状とし、基板傾斜を0、30、60°と変化させ、加工断面形状の時間経過を観察することで、レジストマスクの耐性、SiO2の断面形状の違いを確認した。
キーワード・タグ
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データメトリックス
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- ダウンロード数：
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データインデックス
- 登録日：
- 2025.08.27
- エンバーゴ解除日：
- 2025.07.28
- データセットID：
- f561b0cb-2001-437a-bb0a-28349f1d2035
- データタイル数：
- 10
- ファイル数：
- 88
- ファイルサイズ：
- 13.16MB
- ライセンス：
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