データセット名：ICP-RIEによるSiO2エッチングのRF電源出力依存性
課題名：CHF3ガスによるSiO2エッチングのRF電源出力依存性
データセット登録者（所属機関）：WATANABE, Eiichiro （NIMS）
- 課題番号：
- JPMXP1224NM2001
- 実施機関：
- 物質・材料研究機構
要約
本データセットは、NIMS微細加工共用施設において共用されている住友精密工業製ICP-RIE装置 [RV-APS-SE]を用いて、TEOS-CVDで成膜されたSiO2薄膜を加工した際の加工条件及び加工結果について実験したものである。エッチング加工時のICP電力 (Coil Power)を0W～900W、バイアス電力 (Platen Power)を50W～250Wで変化させたときのエッチング形状（エッチング量やエッチングレート、マスク選択比等）を調べたマトリックス型のデータである。エッチングマスクにはフォトレジストを使用し、エッチング加工後の形状観察を行っている。エッチング加工後の形状観察及び計測は、同共用施設のFE-SEM(S-4800)を用いて測定している。
キーワード・タグ
- 重要技術領域（主）：
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- マテリアルインデックス：
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データメトリックス
- ページビュー：
- 120
- ダウンロード数：
- 27
データインデックス
- 登録日：
- 2024.10.31
- エンバーゴ解除日：
- 2024.10.30
- データセットID：
- 12363822-ceb5-4f02-bd8f-cf0e5c810be5
- データタイル数：
- 1
- ファイル数：
- 47
- ファイルサイズ：
- 5.06MB
- ライセンス：
-
